3週目

第3週 2.4 スイッチとして用いる半導体デバイス

• 可制御デバイスと非可制御デバイスの概説: 可制御デバイスはオン・オフの制御が可能（例：トランジスタ、MOSFET、IGBT）で、非可制御デバイスは制御端子がなく制御が不可能（例：サイリスタ、ダイオード）。
• スイッチの機能と分類: 電力変換器（パワエレ）での使用例を含む説明。特に、機械スイッチを用いた場合、スイッチング周波数10kHzの電力変換器が1分40秒間動作することができるとされています。

2.4.3 ダイオード

• 特性: 降伏電圧と整流特性について説明。

2.4.4 トランジスタ、MOSFET、IGBT

• 電流ー電圧特性: 理想的な可制御スイッチとしての性能について、特に負の方向を許可するダイオードとの組み合わせに焦点を当てた解説。
• トランジスタ2SC1815の出力特性: 特定の回路条件（VCC=12V, RC=120Ω）下での直流負荷線の描写要求。

トランジスタのスイッチング動作

• 基本動作: オン時とオフ時の動作について、特にインダクタンス負荷がある場合の電流の持続に焦点を当てた説明。
• スイッチング時の損失: 抵抗またはコンデンサ負荷がある場合の損失の違いを詳述。
• 安全動作領域: トランジスタが壊れない動作限界領域についての説明、例えば30Vの電圧を0.6Aで連続して流しても素子は壊れないこと。

パワエレ問題３（提出用）

• 交流電源の実効値と出力電圧: 交流電源の電圧𝑣𝑎𝑏の実効値が100Vである回路の出力電圧𝑣𝑐𝑑の波形とD1を流れる期間、平均値を求める問題。

このサマリーは、半導体デバイスをスイッチとして用いる際の基本的な特性、分類、そしてトランジスタの動作についての理解を深めるための内容を含んでいます。