4週目

1. MOSFET（Metal-Oxide-Silicon Field Effect Transistor）:
• nチャネルエンハンスメント型は、ゲート電圧が正の時にオンとなり、ドレインーソース間で電流が流れます。
2. IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor）:
• MOSFETとpnp形トランジスタの特性を併せ持ち、高耐圧で導通損失が少なく、急激なオンオフが可能です。
3. 半導体デバイスの分類:
• ユニポーラ素子（例: MOSFET、ショットキーダイオード）は低スイッチング損失を持ちますが、高耐圧化が難しい。
• バイポーラ素子（例: IGBT、pnダイオード、サイリスタ）は、高耐圧でも導通損失が少ないですが、スイッチング損失が大きい。
4. 逆耐圧対応スイッチ:
• IGBTは逆方向に電流が流れないため、逆並列にダイオードを接続して逆方向電流を許容します。
5. サイリスタ（SCR、GTO）:
• オン時にはゲートパルスによって、オフ時には電圧を逆転させることで制御されます。特にGTOは大容量インバータ用として使用されていますが、現在はほとんど使われていません。

このドキュメントは、パワー半導体の種類、動作特性、及び応用に関する技術的な詳細を網羅しています。